知乎live直播资料

|-3、TCAD内部资料（例子）

|--内部资料，请勿外传~3Q

|--5、一些简单的例子

|---MyDev_HeavyIon.gzp-文件大小:86.11 MB

|--4、IGBT-SiC（功率器件）

|---Device Simulation of 3D Trench Gate 4H-SiC IGBT Device (H-2013.03)

|----SiC_4H_3D_nIGBT_in.gzp-文件大小:170.30 KB

|----SiC_4H_3D_nIGBT_H-2013.03.pdf-文件大小:222.84 KB

|--3、FinFET器件（工艺）

|---Three-dimensional Simulation of 1416 nm FinFETs With Round Fin Corners and Tapered Fin Shape (H-2013.03)

|----14nm_FinFET_in.gzp-文件大小:952.58 KB

|----14nm_FinFET_H-2013.03.pdf-文件大小:1.26 MB

|--2、GaN相关

|---Simulation of Silicon Substrate Effect on AlGaNGaN HFET Off-State Breakdown Voltage (H-2013.03)

|----AlGaN_GaN_HFET_BVs_in.gzp-文件大小:1.71 MB

|----AlGaN_GaN_HFET_BVs_H-2013.03.pdf-文件大小:782.54 KB

|--1、太阳能电池（光学）

|---Three-dimensional Optical Simulation of Textured Surface Silicon Solar Cell (H-2013.03)

|----cSiSolarCell-RandomTexture-OptGenExtract_in.gzp-文件大小:1.48 MB

|----cSiSolarCell-RandomTexture-OptGenExtract_H-2013.03.pdf-文件大小:1.45 MB

|--gzp格式文件使用方法.docx-文件大小:32.96 KB

|-2、直播的视频

|--《如何快速入门Sentaurus TCAD半导体器件仿真》直播视频.flv-文件大小:1.93 GB

|-1、直播的project

|--MyDev.gzp-文件大小:8.77 MB

|--gzp格式文件使用方法.docx-文件大小:32.96 KB